半導體流片和前道制備工藝的質量檢測有國產技術保障了。從日聯(lián)科技獲悉，日聯(lián)科研團隊歷經8年持續(xù)攻關，成功研發(fā)出國內首款開放式X射線源（開管射線源），并實現(xiàn)產業(yè)化應用，以納米級分辨率，完成我國在高端X射線源領域從技術追趕到全球并跑的跨越式突破。
日聯(lián)科技是中國工業(yè)X射線領域的龍頭企業(yè)，也是國家級專精特新“小巨人”企業(yè)和科創(chuàng)板上市公司。公司主要產品是工業(yè)X射線檢測裝備和X射線發(fā)射源，用于全球幾大高科技工業(yè)制造領域的產品質量檢測，在業(yè)界被稱為“工業(yè)醫(yī)生”。
開管射線源的核心技術長期被海外壟斷，全球能獨立研發(fā)和生產高性能納米級開放式X射線源的公司屈指可數(shù)。“日聯(lián)科技自2012年就成立了基礎研發(fā)團隊，通過上千次實驗、工藝調整，攻克了高密度電子束精準聚焦、兆瓦級熱載荷材料耐受性、多物理場耦合真空腔體設計等多項核心技術難題，完成極其精密的電子光學系統(tǒng)搭建?！比章?lián)科技董事長劉駿表示。
據介紹，為了追求更高性能、更低功耗和更小尺寸，先進封裝已進入了3D堆疊封裝時代。芯片被像高樓一樣堆疊起來，內部的連接點完全被遮擋，能夠“透視”這些多層結構并進行無損檢測的成熟技術就是X射線。納米級開管射線源通過控制射線束，觀察芯片內部深層缺陷，成為支撐半導體制造業(yè)繼續(xù)向更小、更復雜、更集成方向發(fā)展的關鍵質控工具。每一支成功的開管射線源，都代表了在材料科學、真空物理、電子光學、精密機械和自動控制等多個學科領域頂尖技術的融合與突破。
日聯(lián)科技的160kV開放式微聚焦X射線源，以其超大幾何放大倍率，高清晰實時成像，可輕松完成半導體產品爬錫高度、連錫、虛焊、漏焊、短路等封裝缺陷和空洞、裂紋等內部結構缺陷檢測。結合開管X射線源，實現(xiàn)最小0.8μm高精度檢測，清晰呈現(xiàn)比頭發(fā)絲細100倍的芯片內部結構，完成納米級缺陷分析，檢測效率較傳統(tǒng)人工提升2000%。
劉駿表示，目前UNOS系列160kV開管射線源已經形成標準化生產流程，實現(xiàn)批量生產，奠定了日聯(lián)科技在工業(yè)檢測行業(yè)中的龍頭地位，在技術路線選擇和市場競爭中占據了更主動的戰(zhàn)略地位。國產射線源的量產不僅滿足半導體、電子制造、新能源等領域對高精度檢測的迫切需求，更降低了工業(yè)檢測的成本與門檻，賦能智能制造產業(yè)升級。他透露，目前開管系列X射線檢測設備更多型號正在順利研發(fā)中，后續(xù)將陸續(xù)推出并實現(xiàn)產業(yè)化。
日聯(lián)科技技術負責人介紹，公司產品的強大競爭力也獲得了知名國際專業(yè)機構的認可，10月13日，研究機構弗若斯特沙利文發(fā)布《全球工業(yè)X射線檢測設備市場競爭概覽——“GUN”為人先，引領行業(yè)》報告。其中，日聯(lián)科技是“GUN組合”3家企業(yè)中唯一的中國企業(yè)。
