2025年6月27日，青島思銳智能半導體先進裝備研發(fā)制造中心落成投產活動在青島自貿片區(qū)舉行。作為2024年度和2025年度連續(xù)兩個年度的山東省重大項目及青島市重點項目，思銳智能半導體先進裝備研發(fā)制造中心由思銳智能與青島城投集團聯(lián)合打造。
項目總占地約95畝，總建筑面積達8.6萬平方米，計劃投資超12億元，聚焦原子層沉積鍍膜（ALD）和離子注入機（IMP）兩大核心半導體前道設備的研發(fā)與量產。該中心的投產填補了青島市在半導體核心裝備領域的空白，標志著青島在半導體產業(yè)自主創(chuàng)新和高端裝備制造領域邁出重要一步。
思銳智能是目前國內唯一一家同時提供離子注入機和原子層沉積設備并實現(xiàn)關鍵技術自主突破的高科技企業(yè)。項目從建設到投產僅用一年時間，展現(xiàn)了龍頭企業(yè)的責任與擔當，進一步完善了青島市集成電路產業(yè)鏈布局，對產業(yè)升級具有重要的示范引領作用。
青島思銳智能科技股份有限公司董事長聶翔表示，思銳智能半導體先進裝備研發(fā)制造中心不僅是一座年產百臺設備的生產基地，更是構建"技術-制造-生態(tài)"閉環(huán)的關鍵節(jié)點。公司將依托該中心加速突破ALD、IMP等關鍵技術瓶頸，深化在集成電路、功率化合物等領域的布局。同時，思銳智能將持續(xù)加大研發(fā)投入，深化與政府、高校及海外機構的合作，打造全球領先的研發(fā)驗證平臺和人才聚集區(qū)，助力中國半導體產業(yè)鏈自主可控。
青島思銳智能科技股份有限公司由中國中車集團及旗下基金通過深度“產融結合”的方式聯(lián)合發(fā)起設立，注冊資本11億元。主要聚焦關鍵半導體前道工藝設備的研發(fā)、生產和銷售，解決集成電路裝備“卡脖子”問題，提供具有自主可控的核心關鍵技術的系統(tǒng)裝備產品和技術服務方案。主要業(yè)務包括原子層沉積（ALD）設備及離子注入（IMP）設備，廣泛應用于集成電路、以功率與化合物為代表的第三代半導體、新能源、光學、生物醫(yī)學等諸多高精尖領域。
2018年9月，思銳智能完成對ALD技術發(fā)源地—芬蘭倍耐克公司100%股權的收購工作。思銳智能及子公司BENEQ在全球擁有近480余項專利，在ALD和IMP技術及應用方面具備雄厚的技術積累，是中國國內極少擁有全球客戶拓展能力的中高端半導體裝備生產制造商，業(yè)務范圍覆蓋全球40個國家及地區(qū)，累計超過500個全球客戶。
思銳智能項目的落地進一步增強了青島自貿片區(qū)在半導體高端裝備領域的競爭力，為青島打造“中國芯谷”注入新動能。未來，青島自貿片區(qū)將持續(xù)優(yōu)化營商環(huán)境，支持企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，推動集成電路產業(yè)實現(xiàn)更高質量、更高水平的發(fā)展。
